L54 半导体光敏器件

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标准号	标准名称	状态	发布日期	实施日期
GB/T 18904.3-2002	半导体器件第12-3部分：光电子器件显示用发光二极管空白详细规范	现行	1990-12-06	2003-05-01
SJ/T 11165-1998	用于光纤系统(或分系统)带尾纤或不带尾纤的PIN-FET模块空白详细规范	现行	1998-03-11	1998-05-01
GB/T 18904.4-2002	半导体器件第12-4部分：光电子器件纤维光学系统或子系统用带不带尾纤的pin-FET模块空白详细规范	现行	2002-12-04	2003-05-01
GB/T 18904.5-2003	半导体器件第12-5部分：光电子器件纤维光学系统或子系统用带不带尾纤的pin光电二极管空白详细规范	现行	2003-01-24	2003-08-01
JB/T 9479-2011	光敏电阻器总规范	现行	2011-08-15	2011-11-01
JB/T 9478.9-2013	光电池测量方法第9部分：光谱响应特性	现行	2013-12-31	2014-07-01
JB/T 9478.2-2013	光电池测量方法第2部分：伏安特性	现行	2013-12-31	2014-07-01
JB/T 9478.11-2013	光电池测量方法第11部分：结电容	现行	2013-12-31	2014-07-01
JB/T 9478.6-2013	光电池测量方法第6部分：暗电流	现行	2013-12-31	2014-07-01
JB/T 9478.3-2013	光电池测量方法第3部分：光电转换效率	现行	2013-12-31	2014-07-01
JB/T 9478.4-2013	光电池测量方法第4部分：照度-电流特性	现行	2013-12-31	2014-07-01
JB/T 9478.7-2013	光电池测量方法第7部分：暗电流温度特性	现行	2013-12-31	2014-07-01
JB/T 9478.8-2013	光电池测量方法第8部分：光谱灵敏度	现行	2013-12-31	2014-07-01
JB/T 9478.12-2013	光电池测量方法第12部分：反向击穿电压	现行	2013-12-31	2014-07-01
JB/T 9478.10-2013	光电池测量方法第10部分：上升时间、下降时间	现行	2013-12-31	2014-07-01
JB/T 9478.1-2013	光电池测量方法第1部分：总则	现行	2013-12-31	2014-07-01
JB/T 9478.5-2013	光电池测量方法第5部分：积分灵敏度	现行	2013-12-31	2014-07-01
SJ/T 2217-2014	硅光电晶体管技术规范	现行	2014-10-14	2015-04-01
SJ/T 2354-2015	PIN、雪崩光电二极管测试方法	现行	2015-04-30	2015-10-01
SJ/T 2216-2015	硅光电二极管技术规范	现行	2015-04-30	2015-10-01