非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

Extrinsic semiconductor single crystals measurement of Hall mobility and Hall coefficient

GB/T 4326-2006已废止国家标准

标准状态

发布于：2006-07-18

实施于：2006-11-01

已废止

标准号GB/T 4326-2006

标准状态已废止

发布日期2006-07-18

实施日期2006-11-01

中国标准分类号H17 半金属及半导体材料分析方法

国际标准分类号77.040.01 金属材料试验综合

主管部门国家标准委

发布部门中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

技术归口国家标准委

代替标准GB/T 4326-1984

起草单位北京有色金属研究总院

起草人王彤涵

本标准规定的测量方法适用于测量非本征半导体单晶材料的霍尔系数、载流子霍尔迁移率、电阻率和载流子浓度。本标准规定测量方法仅在有限的范围内对锗、硅、砷化镓和磷化镓单晶材料进行了实验室测量，但该方法业可适用于其他半导体单晶材料，一般情况下，适用于室温电阻率高达10的4次方Ω?cm 半导体单晶材料的测试。