硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法

Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method

GB/T 14146-2009已废止国家标准

标准状态

发布于：2009-10-30

实施于：2010-06-01

已废止

标准号GB/T 14146-2009

标准状态已废止

发布日期2009-10-30

实施日期2010-06-01

中国标准分类号H80 半金属与半导体材料综合

国际标准分类号29.045 半导体材料

主管部门国家标准委

发布部门中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

技术归口国家标准委

代替标准GB/T 14146-1993

起草单位南京国盛电子有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心、宁波立立电子股份有限公司

起草人马林宝、唐有青、金龙、吕立平、刘培东、李静

本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容－电压测量方法。 u3000u3000本标准适用于同质的硅外延层载流子浓度测量。