碳化硅单晶位错密度的测试方法

Test method for dislocation density of monocrystalline silicon carbide

GB/T 41765-2022现行国家标准

标准状态

发布于：2022-10-14

实施于：2023-05-01

废止

标准号GB/T 41765-2022

标准状态现行

发布日期2022-10-14

实施日期2023-05-01

中国标准分类号H21 金属物理性能试验方法

国际标准分类号77.040 金属材料试验

主管部门国家标准委

发布部门国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

技术归口国家标准委

提出单位全国半导体设备和材料标准化技术委员会

起草单位北京天科合达半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司

起草人彭同华、佘宗静、赵宁、王波、李素青、娄艳芳、王大军、郭钰、杨建

本文件规定了碳化硅单晶位错密度的测试方法。本文件适用于晶面偏离{0001}面、偏向{1120}方向0°~8°的碳化硅单晶位错密度的测试。