半导体器件 分立器件 第6部分：闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范
Semiconductor devices--Discrete devices--Part6:Thyristors--Section Two:Blank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs)，ambient or case-rated，up to 100A
标准状态
发布于：1998-11-17
实施于：1999-06-01
废止
基本信息
GB/T 6590-1998
现行
1998-11-17
1999-06-01
工业和信息化部（电子）
工业和信息化部（电子）
GB 6590-1986
电子工业部标准化研究所
标准简介
本空白详细规范规定了制定100A以下（含 100A）环境或管壳额定的双向三及闸流晶体管（包括快速型）详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范一致。 本空白详细规范是与（GB/T 4589.1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》（IED 747-10：1984）和GB/T 8560-1990《半导体器件、分立器件规范》（IEC 747-11：1985）有关的一系列空白详细规范中的一个。
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