硅单晶电阻率测定方法

Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon

GB/T 1551-2009已废止国家标准

标准状态

发布于：2009-10-30

实施于：2010-06-01

已废止

标准号GB/T 1551-2009

标准状态已废止

发布日期2009-10-30

实施日期2010-06-01

中国标准分类号H80 半金属与半导体材料综合

国际标准分类号29.045 半导体材料

主管部门国家标准委

发布部门中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

技术归口国家标准委

代替标准GB/T 1551-1995、GB/T 1552-1995

起草单位信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所

起草人李静、何秀坤、张继荣、段曙光

本方法规定了用直排四探针法测量硅单晶电阻率的方法。本方法适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的４倍的硅单晶体电阻率以及测量直径大于探针间距10倍、厚度小于探针间距４倍的硅单晶圆片的电阻率。