用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片
GaN on Si epitaxial wafers for HEMT power devices
标准状态
发布于：2025-08-29
实施于：2025-08-29
废止
基本信息
T/CASAS 060-2025
现行
2025-08-29
2025-08-29
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
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苏州晶湛半导体有限公司、北京中博芯半导体科技有限公司、厦门市三安集成电路有限公司、中山大学、中国科学院半导体研究所、工业和信息化部电子第五研究所、北京大学东莞光电研究院、广东工业大学、大连理工大学、珠海镓未来科技有限公司、中国科学院微电子研究所，芯联集成电路制造股份有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
向鹏、程凯、卢国军、叶念慈、刘成、刘扬、贾利芳、施宜军、刘强、贺致远、黄火林、王中党、曾凡明、康玄武、王钰、王文平、高伟。
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