硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法

Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers

GB/T 4058-2009现行国家标准

标准状态

发布于：2009-10-30

实施于：2010-06-01

废止

标准号GB/T 4058-2009

标准状态现行

发布日期2009-10-30

实施日期2010-06-01

中国标准分类号H80 半金属与半导体材料综合

国际标准分类号29.045 半导体材料

主管部门国家标准委

发布部门中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

技术归口国家标准委

代替标准GB/T 4058-1995

起草单位峨嵋半导体材料厂

起草人何兰英、王炎、张辉坚、刘阳

本标准规定了硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法。本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中诱生或增强的晶体缺陷的检测。硅单晶氧化诱生缺陷的检验也可参照此方法。