高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
Test method for measuring the Al fraction in AlGaAs on GaAs substrates by high resolution X-ray diffraction
标准状态
发布于：2009-10-30
实施于：2010-06-01
废止
基本信息
GB/T 24576-2009
现行
2009-10-30
2010-06-01
国家标准委
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
国家标准委
信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所
章安辉、黄庆涛、何秀坤
标准简介
本标准规定了用高分辨X 射线衍射测量GaAs衬底上AlGaAs外延层中Al含量的试验方法。 本方法适用于在未掺杂GaAs衬底方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定,使用 本方法测量Al元素含量时,AlGaAs外延层厚度应大于300nm。
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