表面化学分析二次离子质谱硅中砷的深度剖析方法

Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of arsenic in silicon

GB/T 32495-2016现行国家标准

标准状态

发布于：2016-02-24

实施于：2017-01-01

废止

标准号GB/T 32495-2016

标准状态现行

发布日期2016-02-24

实施日期2017-01-01

中国标准分类号G04 基础标准与通用方法

国际标准分类号71.040.40 化学分析

主管部门中国科学院

发布部门中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

技术归口中国科学院

起草单位中国电子科技集团公司第四十六研究所

起草人马农农、陈潇、何友琴、王东雪

本标准中，详细规定了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中砷进行深度剖析的方法，以及用触针式轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。本标准适用于砷原子浓度范围从1×1016atoms/cm3 到2.5×1021atoms/cm3的单晶硅、多晶硅、非晶硅样品，坑深在50nm及以上。