硅外延层晶体完整性检查方法 腐蚀法
Test method for crystallographic perfection of epit-axial layers in silicon by etching techniques
标准状态
发布于：1993-02-06
实施于：1993-10-01
已废止
基本信息
标准简介
本标准规定了用化学腐蚀显示，并用金相显微镜检验硅外延层晶体缺陷的方法 本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度测量。硅外延层厚度应大于2μm测量范围为010000cm。
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