300 mm低氧含量直拉硅单晶抛光片
300 mm low oxygen content single crystaline Czochralski silicon polished wafers
标准状态
发布于：2024-03-05
实施于：2024-03-05
废止
基本信息
T/NXCL 29-2024
现行
2024-03-05
2024-03-05
宁夏材料研究学会
宁夏材料研究学会
宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司、北方民族大学、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、厦门大学、宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司、宁夏高创特能源科技有限公司
王黎光、商润龙、芮阳、杨少林、陈亚、蔡润、赵泽慧、赵延祥、曹启刚、王忠保、熊欢、魏兴彤、王云峰、李长苏、顾燕滨、盛之林、黄柳青、盛旺
标准简介
本文件规定了 300 mm 低氧含量直拉硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书、订货单（或合同）内容和质量承诺等方面的内容。 本文件适用于直径 300 mm 低氧含量直拉硅单晶磨削片经单面或双面抛光制备的硅单晶抛光片，产品主要用于满足绝缘栅双极晶体管（IGBT）等功率器件技术需求的衬底片。
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