带电粒子半导体探测器测试方法
Test procedures for semiconductor chargedparticle detectors
标准状态
发布于：1994-12-22
实施于：1995-10-01
已废止
基本信息
标准简介
本标准规定了带电粒子半导体探测器电特性和核辐射性能的测试方法以及某些特殊环境的试验方法。 本标准适用于探测带电粒子的部分耗尽金硅面垒型、锂漂移金硅面垒型和表面钝化离子注入平面硅型等半导体探测器。
内容预览
Test procedures for semiconductor chargedparticle detectors
本标准规定了带电粒子半导体探测器电特性和核辐射性能的测试方法以及某些特殊环境的试验方法。 本标准适用于探测带电粒子的部分耗尽金硅面垒型、锂漂移金硅面垒型和表面钝化离子注入平面硅型等半导体探测器。