硅衬底上绝缘体薄膜厚度及折射率的椭圆偏振测试方法
标准状态
发布于：2012-11-07
实施于：2013-03-01
废止
基本信息
YS/T 839-2012
现行
2012-11-07
2013-03-01
工业和信息化部
全国有色金属标准化中心
中国计量科学研究院、有研半导体材料股份有限公司等股份有限公司
高英、武斌
标准简介
本方法规定了用椭圆偏振测试方法测量生长或沉积在硅衬底上的绝缘体薄膜厚度及折射率的方法。本方法适用于薄膜对测试波长没有吸收和衬底对测试波长处不透光、且已知测试波长处衬底折射率和消光系数的绝缘体薄膜厚度及折射率的测量。对于非绝缘体薄膜，满足一定条件时,方可采用本方法。
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