碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法

Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers

GB/T 30867-2014已废止国家标准

标准状态

发布于：2014-07-24

实施于：2015-02-01

已废止

标准号GB/T 30867-2014

标准状态已废止

发布日期2014-07-24

实施日期2015-02-01

中国标准分类号H83 化合物半导体材料

国际标准分类号29.045 半导体材料

主管部门国家标准委

发布部门中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

技术归口国家标准委

起草单位中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院

起草人丁丽、周智慧、郝建民、蔺娴

本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化（TTV）的测试方法，包括接触式和非接触式两种方式。本标准适用于直径不小于30mm、厚度为0.13mm～1mm的碳化硅单晶片。