硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance
标准状态
发布于：2011-01-10
实施于：2011-10-01
已废止
基本信息
GB/T 26068-2010
已废止
2011-01-10
2011-10-01
国家标准委
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
国家标准委
有研半导体材料股份有限公司、中国计量科学研究院、瑟米莱伯贸易（上海）有限公司、洛阳单晶硅有限责任公司等
曹孜、孙燕、黄黎、高英
标准简介
1．1 本方法适用于测量均匀掺杂、经过抛光处理的n型或p型硅片的载流子复合寿命。本方法是非破 坏性、无接触测量。在电导率检测系统的灵敏度足够的条件下，本方法也可应用于测试切割或者经过研磨、腐蚀硅片的载流子复合寿命。 1．2 被测硅片的室温电阻率下限由检测系统灵敏度的极限确定，通常在0.051Ω.cm～11Ω.cm之间。?注：本检测方法适用于测量0.25us到>1ms范围内的载流于复合寿命．晕短可测寿命值取决于光源的关断特性及衰减信号测定器的采样频率，最长可测值取决于试样的几何条件以及样片表面的钝
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