硅片电阻率测定扩展电阻探针法

Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe

GB/T 6617-2009现行国家标准

标准状态

发布于：2009-10-30

实施于：2010-06-01

废止

标准号GB/T 6617-2009

标准状态现行

发布日期2009-10-30

实施日期2010-06-01

中国标准分类号H80 半金属与半导体材料综合

国际标准分类号29.045 半导体材料

主管部门国家标准委

发布部门中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

技术归口国家标准委

代替标准GB/T 6617-1995

起草单位南京国盛电子有限公司、宁波立立电子股份有限公司

起草人马林宝、骆红、吕立平、刘培东、谭卫东

本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层的电阻率，测量范围:10 Ωcm～10 Ω·cm。