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半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范

Semiconductor devices--Discrete devices--Part 7:Bipolar transistors--Section Four:Blank detail specification for case-rated bipolartransistors for high-frequency amplification

GB/T 7576-1998现行国家标准

标准状态

发布于:1998-11-17
实施于:1999-06-01
废止

基本信息

GB/T 7576-1998
现行
1998-11-17
1999-06-01
L42 半导体三极管
31.080.30 三极管
工业和信息化部(电子)
工业和信息化部(电子)
GB 7576-1987
电子工业部标准化研究所

标准简介

本空白详细规范规定了制定高频放大管壳额定双极型晶体管详细规范的基本原则,制定该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。 本空白详细规范是与GB/T4589.1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》和GB/T 12560-1990《半导体器件 分立器件分规范》(IEC747-11:1985)有关的一系列空白详细规范中的一个。

内容预览

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