半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法
Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 3: Test method for defects using photoluminescence
标准状态
发布于：2023-12-28
实施于：2024-07-01
废止
基本信息
GB/T 43493.3-2023
现行
2023-12-28
2024-07-01
国家标准委
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
国家标准委
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
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芦伟立、房玉龙、丁雄杰、张冉冉、张建锋、李振廷、刘立娜、杨世兴、金向军、尹志鹏、周少丰、林志阳、李佳、殷源、王健、李丽霞、徐晨、杨青、马康夫、钮应喜、刘薇、陆敏
标准简介
本文件提供了商用碳化硅（4H-SiC）同质外延片生长缺陷光致发光检测的定义和方法。主要是通过光致发光图像示例和发射光谱示例，为SiC同质外延片上缺陷的光致发光检测提供检测和分类的依据。
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