硅片氧沉淀特性的测定-间隙氧含量减少法
Oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction
标准状态
发布于：2004-02-05
实施于：2004-07-01
已废止
基本信息
GB/T 19444-2004
已废止
2004-02-05
2004-07-01
国家标准委
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会
国家标准委
洛阳单晶硅有限责任公司
标准简介
本标准规定了由测量硅片间隙氧含量的减少量来检验硅片氧沉淀特性的方法原理、取样规则、热处理程序、试验步骤、数据计算等内容。 本标准用于定性比较两批或多批集成电路用硅片间隙氧沉淀特性。
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