碳化硅单晶电学性能的测试方法

SJ/T 11499-2015已废止行业标准

标准状态

发布于：2015-04-30

实施于：2015-10-01

已废止

标准号SJ/T 11499-2015

标准状态已废止

发布日期2015-04-30

实施日期2015-10-01

中国标准分类号H83 化合物半导体材料

国际标准分类号29.045 半导体材料

发布部门工业和信息化部

技术归口全国半导体设备和材料标准化技术委员会

起草单位中国电子科技集团公司第四十六研究所、工业和信息化部电子工业标准化研究院

起草人丁丽、郑庆瑜、蔺娴等

本标准规定了碳化硅晶体材料导电类型、电阻率、迁移率、载流子浓度的测试方法。标准适用于在（～263.15～426.85）℃温度范围内，电阻率在1×10∧5Ω.cm以下、晶型为6H和4H的碳化硅单晶的电学性能测试。