重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法

SJ/T 11498-2015现行行业标准

标准状态

发布于：2015-04-30

实施于：2015-10-01

废止

标准号SJ/T 11498-2015

标准状态现行

发布日期2015-04-30

实施日期2015-10-01

中国标准分类号H82 元素半导体材料

国际标准分类号29.045 半导体材料

发布部门工业和信息化部

技术归口全国半导体设备和材料标准化技术委员会

起草单位信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、苏州晶瑞化学有限公司等

起草人何友琴、马农农、何秀坤等

本标准规定了用二次离子质谱法(SIMS)对重掺硅衬底单晶体中氧浓度总量的测试方法。本标准适用于硼、锑、砷、磷的掺杂浓度＜0.2％（1×10∧20at·cm-3）的硅材料。特别适用于电阻率在0.0012Ω·cm～1.0Ω·cm的p型硅材料和电阻率在0.008Ω·cm～0.2·cm的n型硅材料。