光致发光法测定磷镓砷晶片的组分
标准状态
发布于：2015-04-30
实施于：2015-10-01
废止
基本信息
SJ/T 11492-2015
现行
2015-04-30
2015-10-01
工业和信息化部
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、中国科学院半导体研究所等
李静、金鹏、何秀坤 等
标准简介
本标准规定了采用光致发光测试系统对表面经过处理的磷镓砷(GaAs1-xPx)晶片组分进行测试的方法。 本标准适用于气相外延生长的，光致发光峰（λpl）在640nm～670nm范围内时，对应磷的摩尔分数为36%到42%的n型GaAs1-xPx晶片。
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