半导体分立器件3DA522型硅微波脉冲功率晶体管详细规范

标准状态

基本信息

标准简介

SJ 50033/175-2007.Semi conductro discrete devices Detail specification for type 3DA522 silicon microwave pulse power transistor.1范围SJ 50033/175规定了3DA522型硅微波脉冲功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。按CJB 33A- 1997中1.3的规定，提供的质量保证等级为普军级、特军级和超特军级，分别用字母JP、JT和JCT表示。2规范性引用文件下列文件中的有关条款通过引用而成为本规范的条款。凡注8期或版次的引用文件，其后的任何修改单(不包括勘误的内容)或修订版本都不适用本规范，但提倡使用本规范的各方探讨使用其最新版本的可能性。凡不注日期或版次的引用文件，其最新版本适用于本规范。GB/T 4587-1994半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管GB/T 7581半导体 分立器件外形尺寸GJB 33A-1997半导体分立器件总规范GJB 128A-1997半导体分立器件试验方法3要求3.1总则器件应符合本规范和CGJB 33A-1997规定的所有要求。本规范的要求与总规范不一致时，应以本规范为准。3.2设计、 结构和外形尺寸3.2.1引出端材料和镀涂层发射极和集电极引出端材料为可伐合金带，基极引出端为钨铜，引出端表面镀金。3.2.2器件结构本器件是采用硅外延平面结构的NPN型晶体管，具有阻抗匹配网络，用金属陶瓷外壳{密封装。3.2.3 外形尺寸外形尺寸应按GB/T 7581及图1的规定。3.3最大额定值和主要 电特性3.3.1最大额定值最大额定值见表1。3.3.2电特性(T=25C)电特性见表2。3.4测试要求测试应符合GJB 33A-1997及 本规范的规定。

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