半导体分立器件3DD6型功率晶体管详细规范

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标准简介

SJ 20183-1992.Semiconductor discrete device Detail specification for type 3DD6 power transistor. 1范围 1.1 主题内容 SJ 20183规定了3DD6B~I型功率晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。 1.2 外形尺寸 外形尺寸按GB 7581《半导体分立器件外形尺寸》的B2-01C型及如下的规定(见图1)。 2引用文件 GB 4587-84双极型晶体管测试方法 GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸 GJB 33-85半导体分立器件总规范 GJB 128-86半导体分立器件试验方法 3要求 3.1详细 要求 各项要求应按GJB33和本规范的规定。 3.2设计、结构和外形尺寸 器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。 3.2.1引出线材料和涂层 引出线材料应为可伐。引出线表面应为锡层或镍层。对引出线涂层有选择要求时,在合同或订货单中应予规定。 3.3标志 器件的标志应按GJB33的规定 4质量保证规定 4.1 抽样和检验 抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。 4.2鉴定检验 鉴定检验应按GJB33的规定。 4.3筛选(仅对GT 和GCT级) 器件的筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1的规定进行,超.

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