半导体分立器件GP、GT和GCT级CS10型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
标准状态
发布于：1992-02-01
实施于：1992-05-01
废止
基本信息
SJ 20013-1992
现行
1992-02-01
1992-05-01
中国电子工业总公司
中国电子技术标准化研究所
中国电子技术标准化研究所
王长福、吴志龙、张宗国、刘美英
标准简介
SJ 20013-1992.Semiconductor discrete device Detail specification for silicon N-channel deplition mode field - effect transistor of type CS10 GP、GT and GCT classes. 1范围 1.1主题内容 SJ 20013规定了CS10型硅N沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB 33-85《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。 2引用文件 GB 4586- -84场效应晶体管测试方法 GB 7581--87半导体分立器件外形尺寸 GJB 33--85半导体分立器件总规范 GJB 128-86半导体分立器件试验方法 3要求 3.1 详细要求 各项要求应按GJB33和本规范的规定。 3.2设计结构和外形尺寸 器件的设计结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定。 3.2.1引出 端材料和涂层 引出端材料应为柯伐.引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡。对引出端材料和涂层要求选择或另有要求时,在合同或订货单中应明确规定(见6)。 3.3标志 器件的标志应按GJB33的规定。 4质量保证规定 4.1抽样和检验 抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。 4.2鉴定检验 鉴定检验应按GJB33的规定。 4.3 筛选(仅对GT和GCT级) 筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行，超过规定极限值的器件不应接收。
内容预览
