低位错密度砷化镓拋光片蚀坑密度的测量方法

SJ/T 11490-2015现行行业标准

标准状态

发布于：2015-04-30

实施于：2015-10-01

废止

标准号SJ/T 11490-2015

标准状态现行

发布日期2015-04-30

实施日期2015-10-01

中国标准分类号H83 化合物半导体材料

国际标准分类号29.045 半导体材料

发布部门工业和信息化部

技术归口全国半导体设备和材料标准化技术委员会

起草单位信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、苏州晶瑞化学有限公司等

起草人章安辉、何秀坤、刘兵等

本标准规定了低位错密度砷化镓(GaAs)抛光片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。本标准适用于直径2英寸和3英寸且EPD小于5000／cm2 的圆形GaAs晶片的EPD的测量。