半导体分立器件QL72型硅三相桥式整流器详细规范

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标准简介

SJ 20065-1992.Semiconductor discrete device Detail specification for type QL72 silicon three phase full wave bridge rectifier. 1范围 1.1主题内容 SJ 20065规定了电源设备用的QL72型硅三相桥式整流器(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的两个等级(GP和GT级)。 1.2外形尺寸 外形尺寸见图1。 2引用文件 GB 4023- 86半导体分立器件第2 部分整流二极管 GJB 33--85半导体分立器件总规范 GJB 128--86半导体分立器件试验方法 3要求 3.1 详细要求 各项要求应符合GJB 33和本规范的规定。 3.2设计 、结构和外形尺寸 器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范图1的规定。 3.3标志 标志应按GJB33的规定。 3.3.1极性标志 极性标志如图1所示。 4质量保证规定 4.1抽样和检验 抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。 4.2鉴定检验 鉴定检验应按GJB 33的规定。 4.4质量一致性检验 质量一致性检验应按GJB33的规定,由A组、B组和C组检验或试验组成。 4.4.1 A组检验 A组检验应按GJB 33和本规范中表1的规定进行。 4.4.2 B组检验 B组检验应按GJB33和本规范中表2的规定进行。 4.4.3 C组检验 C组检验应按GJB 33和本规范中表3的规定进行。 4.5检验和试验方法. 检验和试验方法应按本规范的表1.表2和表3以及下列规定: 4.5.1 工作热循环 进行本项试验时,器件的交流端输入50Hz三相正弦波电乐,保证器件的输出电流为2A。通电时间t1≥5min断电时间t2≥3min为一个循环。试验持续2000个循环。

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