半导体分立器件3DG120型NPN硅高频小功率晶体管详细规范
标准状态
发布于：1992-11-19
实施于：1993-05-01
废止
基本信息
SJ 20060-1992
现行
1992-11-19
1993-05-01
中国电子工业总公司
中国电子技术标准化研究所
中国电子技术标准化研究所和石家庄无线电二厂
王长福、王承琳、谢佩兰
标准简介
SJ 20060-1992.Semiconductor discrete device Detail specification for sllcon NPN high-frequency low-power transistor of type 3DG120. 1范围 1.1主题内容 SJ 20060规定了3DG120型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件>的详细要求。该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。 2引用文件 GB 4587--84双极型晶体管测试方法 GB 7581-81半导体分立器件外形尺寸 GJB33-85半导体分立器件总规范 GJB 128- -86半导体分立器件试验方法 3要求 3.1详细要求 各项要求应按GJB 33和本规范的规定。 3.2设计、结构和外形尺寸 器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定。 3.2.1引出端材料和涂层 引出端材料应为可伐.引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡。对引出端材料和涂层要求的选择或另有要求时,在合同或订单中应明确规定
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