半导体分立器件3DK51型功率开关晶体管详细规范

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标准简介

SJ 20171-1992.Semiconductor discrete device Detail specification for type 3DK51 power switching transistor. 2引用文件 GB 4587-84双极型晶体管 测试方法 GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸 GJB 33-85半导体分立器件总规范 GJB 128-86半导体分立器件试验方法: 3要求 3.1详细要求 各项要求应按GJB 33和本规范的规定。 3.2设计、结构和外形尺寸 器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定。 3.2.1引 出线材料和涂层 引出线材料应为可伐。引出线表面应为锡层或镍层.对引出线涂层有选择要求时,在合同或订货单中应予规定。 3.3标志 器件的标志应按GJB 33的规定。 4质量保证规定 4.4质量一致性检验 质量一致性检验应按GJB 33的规定进行。 4.4.1 A组检验 A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。 4.4.2 B组检验 B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行。 4.4.3 C组检验 C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行。 4.5检验方法 检验方法应按本规范相应的表和下列规定。 4.5.1 脉冲测试 脉冲测试应按GJB 128的3.3.2.1的规定。 4.5.2热阻 热阻测试应按GB4587的2.10和下列规定。 a.加功率时的Ic=1A; b.Vce= 10V; c.基准温度测试点应为管壳; d.基准点温度范围为25°C≤Tc≤75C ,实际温度应记录; e.安装应带散热器;

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