半导体分立器件2CZ30型硅整流二极管详细规范

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SJ 20067-1992.Semiconductor discrete device Detail specification for type 2CZ30 silicon rectifier diode. 1范围 1.1主题内容 SJ 20067规定了2CZ30型硅整流二极管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范)的规定,提供产品保证三个等级(GP、GT和GCT级)。 1.2 外形尺寸 外形符合GB7581(半导体分立器件外形尺寸)的D2-10A型及如下规定,见图1. 2引用文件 GB 4023- -86半导体分立器件第2部分整流二极管 GB 7581- - -87半导体分立器件外形尺寸 GJB 33--85半导体分立器件总规范 GJB 128- -86半导体分立器件试验方法 3要求 3.1详细要求 各项要求应按GJB 33和本规范的规定。 3.2设计 、结构和外形尺寸 器件的设计、结构和外形尺寸应符合GJB 33和本规范图1的规定。 3.2.1引出端涂层 引出端表面应镀锡,在不影响器件性能的情况下,对引出端涂层另有要求时,应在合同或订货单中规定(见6.1条). 3.2.2器件结构 在芯片的两面和引线之间采用高温冶金键合结构. 3.3标志 器件标志应按GJB 33的规定.型号标志可不限于一行内。制造厂可省略下列标志: a.自产品保证等级; b.制造厂厂名、代号或商标; c.检验批识别代码; d.型号命名中的 2C部分。 3.3.1极性标志 ,器件的负极端采用鲜明的色带标记,以示出器件的极性。 4质量保证规定

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