半导体分立器件FH181 A型NPN硅功率达林顿晶体管详细规范

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标准简介

SJ 20306-1993.Detail specification for type FH181A NPN silicon power Darlington transistor. 1范围 1.1主题内容 SJ 20306规定了FH181A型NPN硅功率达林顿晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。 1.2外形尺寸 外形尺寸应按GB 7581《半导体分立器件外形尺寸》的F3-04A型及如下的规定(见图1)。 2引用文件 GB 4587- -84双极型晶体管测试方法. GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸 GJB 33一85半导体分立器件总规范 GJB 128-86半导体分立器件试验方法 3要求 3.1详细要求 各项要求应按GJB 33和本规范的规定。 3.2设计 、结构和外形尺寸 器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定. 3.2.1引出线材料和涂层 引出线材料应为可伐。引出线表面应为锡层或镍层.对引出线涂层有选择要求时,在合同 或订货单中应予规定。 3.3标志 器件的标志应按GJB 33的规定。 4.质量保证规定 4.1 抽样和检验 抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定。 4.2鉴定检验 鉴定检验应按GJB33的规定。 4.4质量一致性检验 质量一致性检验应按GJB 33的规定进行。 4.4.1 A 组检验 A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行。 4.4.2 B 组检验 B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。 4.4.3 C组检验 C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行。 4.5 检验方法 检验方法应按本规范相应的表和下列规定: 4.5.1脉冲 测试 脉冲测试应按GJB 128的3.3.2. 1的规定。 4.5.2热阻 热阻测试应按GB 4587和2.10和下列规定。

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