碳化硅单晶片 X 射线双晶摇 摆曲线半高宽测试方法
Test Method for Full Width at Half Maximum of Double Crystal X-ray Rocking Curve of Silicon Carbide Wafers
标准状态
发布于：2022-03-17
实施于：2022-03-24
废止
基本信息
T/IAWBS 016-2022
现行
2022-03-17
2022-03-24
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
国宏中宇科技发展有限公司、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中科钢研节能科技有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国科学院物理研究所、北京三平泰克科技有限责任公司、北京聚睿众邦科技有限公司、芜湖启迪半导体有限公司、中国科学院半导体研究所
刘素娟、鲍慧强、李龙远、王锡铭、赵然、赵子强、刘春俊、闫方亮、郑红军、王文军、钮应喜、刘兴昉、刘祎晨
标准简介
本文件规定了利用双晶 X 射线衍射仪测试碳化硅单晶片摇摆曲线半高宽的方法。 本文件适用于物理气相传输及其它方法生长制备的碳化硅单晶片。 本文件适用于在室温下碳化硅单晶片的正晶向和偏角度的摇摆曲线检测。
内容预览
