太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法

Test method for determination of crystal defect density in PV silicon ingot and wafer

GB/T 37051-2018现行国家标准

标准状态

发布于：2018-12-28

实施于：2019-04-01

废止

标准号GB/T 37051-2018

标准状态现行

发布日期2018-12-28

实施日期2019-04-01

中国标准分类号H80 半金属与半导体材料综合

国际标准分类号29.045 半导体材料

主管部门国家标准委

发布部门国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会

技术归口国家标准委

起草单位英利集团有限公司、江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、晋能清洁能源科技有限公司、天津英利新能源有限公司、中国电子技术标准化研究院、泰州中来光电科技有限公司、镇江仁德新能源科技有限公司

起草人李锋、李英叶、吴翠姑、冯亚彬、唐骏、段青春、张伟、裴会川、程小娟

本标准规定了太阳能级多晶硅锭、硅片的晶体缺陷密度测定方法，包含方法概要、试剂和材料、仪器和设备、试样制备、测试步骤、数据处理、精密度、干扰因素和报告。本标准适用于太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度的测定。