硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

The method of determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption

GB/T 1557-2006已废止国家标准

标准状态

发布于：2006-07-18

实施于：2006-11-01

已废止

标准号GB/T 1557-2006

标准状态已废止

发布日期2006-07-18

实施日期2006-11-01

中国标准分类号H17 半金属及半导体材料分析方法

国际标准分类号77.040.01 金属材料试验综合

主管部门中国有色金属工业协会

发布部门中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

技术归口中国有色金属工业协会

代替标准GB 1557-1983、GB/T 1557-1989、GB/T 14143-1993

起草单位峨眉半导体材料厂

起草人梁洪、覃锐兵、王炎

本标准规定了采用红外光谱法测定硅单晶中的间隙氧含量的方法。本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω?cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω?cm的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。本标准测量氧含量的有效范围从1×10的16次方at/cm3到硅中间隙氧的最大固溶度。