碳化硅衬底基平面弯曲的测定 高分辨X射线衍射法
Measuring method for basal plane bending of SiC substrate — High resolution X-ray diffractometry
标准状态
发布于：2021-11-01
实施于：2021-12-01
废止
基本信息
T/CASAS 014-2021
现行
2021-11-01
2021-12-01
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
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广州南砂晶圆半导体技术有限公司、山东大学、深圳第三代半导体研究院、广东芯聚能半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
陈秀芳、崔潆心、于金英、胡小波、于国建、徐现刚、杨安丽、朱贤龙、魏学成、赵璐冰
标准简介
本文件规定了用高分辨X射线衍射法表征6H和4H碳化硅单晶衬底基平面弯曲的方法。 本文件适用于（0001）面或（0001）面偏晶向的6H和4H-碳化硅单晶衬底中基平面弯曲的表征。
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