碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法

Test method for dislocation density of silicon carbide polished wafers

T/IAWBS 014-2021现行团体标准

标准状态

发布于：2021-09-15

实施于：2021-09-22

废止

标准号T/IAWBS 014-2021

标准状态现行

发布日期2021-09-15

实施日期2021-09-22

国际标准分类号29.045 半导体材料

发布部门中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

团体名称中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

起草单位中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟，北京天科合达半导体股份有限公司

起草人彭同华、佘宗静、娄艳芳、王大军、赵宁、陈海芹、王波、刘春俊、郭钰、杨建

本文件规定了碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法。本文件适用于晶面偏离{0001}面角度为 0°~8°的碳化硅单晶抛光片的位错密度的测试。