SiC晶片的残余应力检测方法
Experimental method for residual stress in SiC wafers
标准状态
发布于：2020-12-17
实施于：2020-12-18
废止
基本信息
T/ZSA 38-2020
现行
2020-12-17
2020-12-18
中关村标准化协会
中关村标准化协会
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京聚睿众邦科技有限公司、北京航空航天大学、北京天科合达半导体股份有限公司、北京三平泰克科技有限责任公司
苏飞、闫方亮、彭同华、佘宗静、刘春俊、赵宁、陆敏、郑红军、陈鹏、林雪如、刘祎晨
标准简介
本文件规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法。 本文件适用于晶片厚度适当，对波长400-700nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片。
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