半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法
The measurement method of resistivity for semi-insulating silicon carbide substrate
标准状态
发布于：2019-12-27
实施于：2019-12-31
废止
基本信息
T/IAWBS 013-2019
现行
2019-12-27
2019-12-31
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中国电子科技集团公司第二研究所、北京世纪金光半导体有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、中国电子科技集团公司第四十六研究所
侯晓蕊、王英民、李斌、魏汝省、王光耀、王程、马康夫、刘燕燕、田牧、任慧珍、徐伟、毛开礼、潘磊、陆敏、郑红军、刘祎晨
标准简介
本标准规定了半绝缘碳化硅电阻率非接触测量方法。 本标准适用于电阻率测量范围：105Ω•cm-1012Ω•cm；样品直径：50.8mm-200mm；样品厚度范围：250μm—5000μm的衬底。
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