导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法
Test methods for measuring resistivity of conductive silicon carbide wafers with a noncontact eddy-current gauge
标准状态
发布于：2019-12-27
实施于：2019-12-31
废止
基本信息
T/IAWBS 011-2019
现行
2019-12-27
2019-12-31
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
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中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中科钢研节能科技有限公司,北京天科合达半导体股份有限公司、中国科学院物理研究所、北京三平泰克科技有限责任公司,国宏中宇科技发展有限公司。
张岩、赵然、李龙远、刘素娟、赵子强、郑红军、陆敏、刘春俊、王文军、刘祎晨、林雪如、陈鹏、韩超。
标准简介
本标准规定了用非接触涡流法测定导电碳化硅单晶片电阻率的方法。本标准适用于200μm到1000μm厚的碳化硅单晶片。本标准适用于电阻率0.005Ω·cm到200Ω· cm和表面电阻0.032 Ω/□到3000Ω/□的范围。
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