碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法
Detection method for measuring the surface Detection method for measuring the surface quality and micropipe densityof polished monocrystalline silicon carbide wafers-Laser Scattering Method
标准状态
发布于：2019-12-27
实施于：2019-12-31
废止
基本信息
T/IAWBS 010-2019
现行
2019-12-27
2019-12-31
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
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佘宗静、赵岩、杜莹莹、曹艳芳、刘丹、陆敏、郑红军、林健、王文军、林雪如、刘祎晨、陈鹏、韩超、张平、钮应喜、陈志霞、张瑾、陈彤。
标准简介
本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的表面质量和微管密度的测试方法-激光散射测试法。本标准适应于4H及6H碳化硅单晶抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。
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