SiC晶片的残余应力检测方法

Experimental method for residual stress in SiC wafers

T/IAWBS 008-2019现行团体标准

标准状态

发布于：2019-12-27

实施于：2019-12-31

废止

标准号T/IAWBS 008-2019

标准状态现行

发布日期2019-12-27

实施日期2019-12-31

国际标准分类号29.045 半导体材料

发布部门中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

团体名称中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

起草单位中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京聚睿众邦科技有限公司、北京航空航天大学、北京三平泰克科技有限责任公司

起草人苏飞、闫方亮、陆敏、郑红军、陈鹏、林雪如、刘祎晨、韩超

本标准规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法。本标准适用于晶片厚度适当，对波长400-700nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片。