4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法

Test method for thickness of 4H silicon carbide homo-epitaxial layers by infrared reflectance

T/IAWBS 007-2018现行团体标准

标准状态

发布于：2018-12-06

实施于：2018-12-17

废止

标准号T/IAWBS 007-2018

标准状态现行

发布日期2018-12-06

实施日期2018-12-17

中国标准分类号H80-84 半金属与半导体材料

国际标准分类号29.045 半导体材料

发布部门中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

团体名称中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

起草单位中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、东莞市天域半导体科技有限公司、全球能源互联网研究院、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司、中国电子科技集团公司第二研究所、西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所

起草人张新河、钮应喜、王英民、贾仁需、张峰、刘丹、陈志霞、闫果果、陆敏、郑红军、彭同华、林雪如、陈鹏、刘祎晨

本标准规定了4H-N型重掺杂碳化硅衬底（N型掺杂浓度>5×1018 cm-3）上同质外延层（掺杂浓度5×1014cm-3-5×1016 cm-3）厚度的红外反射测量方法。本标准适用于2-100微米的碳化硅外延层。