半导体中深能级的瞬态电容测试方法

SJ/T 10482-1994现行行业标准

标准状态

发布于：1994-04-11

实施于：1994-10-01

废止

标准号SJ/T 10482-1994

标准状态现行

发布日期1994-04-11

实施日期1994-10-01

中国标准分类号L11 电容器

国际标准分类号29.045 半导体材料

发布部门电子工业部

本标准规定了用瞬态电容技术中的深能级瞬态谱(DLTS)法测量半导体材料中深能级的测试方法。本标准适用于测量硅、砷化镓等半导体材料中杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。由此法可得到深能级的激活能、浓度、指数前因子A等参数。本标准适用于产生指数形式电容瞬态有关的深能级。