LED外延芯片用磷化镓衬底

GaP substrates for LED epitaxial chips

GB/T 30855-2014现行国家标准

标准状态

发布于：2014-07-24

实施于：2015-04-01

废止

标准号GB/T 30855-2014

标准状态现行

发布日期2014-07-24

实施日期2015-04-01

中国标准分类号H83 化合物半导体材料

国际标准分类号29.045 半导体材料

主管部门国家标准委

发布部门中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

技术归口国家标准委

起草单位中国科学院半导体研究所、云南中科鑫圆晶体材料有限公司、有研光电新材料有限公司

起草人赵有文、提刘旺、赵坚强、林泉、惠峰

本标准规定了 LED外延芯片用磷化镓单晶衬底片(以下简称衬底)的要求、检验方法以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。本标准适用于 LED外延芯片的磷化镓单晶衬底。