半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法
Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 2: Test method for defects using optical inspection
标准状态
发布于：2023-12-28
实施于：2024-07-01
废止
基本信息
GB/T 43493.2-2023
现行
2023-12-28
2024-07-01
国家标准委
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
国家标准委
国家标准化管理委员会
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标准简介
本文件提供了在商用碳化硅（SiC）同质外延片产品上缺陷光学检测的定义和方法。主要是通过给出这些缺陷的光学图像示例，为SiC同质外延片上缺陷的光学检测提供检测和分类的依据。 本文件主要论述缺陷的无损表征方法，因此有损表征例如湿法腐蚀等不包含在本文件范围内。
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