碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定方法 辉光放电质谱法
Test method for purity of iso-static graphite components used in the growth of silicon carbide single crystals-Glow discharge mass spectrometry
标准状态
发布于：2025-04-23
实施于：2025-04-23
废止
基本信息
T/CASAS 036-2025
现行
2025-04-23
2025-04-23
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
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屈睿航、周明、董博宇、吴厚政、杨牧龙、彭珍珍、徐建平、田涛、李殿浦、袁振洲、宁秀秀、侯晓蕊、杨弥珺、武雷、徐明升、张逊熙、张静、孔令沂、曾一平、李娟。
标准简介
等静压石墨是由碳骨料、沥青等原材料通过磨粉、混捏、等静压成型、焙烧、浸渍、石墨化、纯化等工艺制造而成的石墨，也称为“各向同性”石墨。等静压石墨在碳化硅单晶生长过程中应用广泛，主要用于制造碳化硅单晶生长用的热场构件，如加热器、坩埚、籽晶托等。这些构件对于单晶生长过程的稳定性和晶体质量具有重要影响，质量良好的等静压石墨热场能够有效提升晶体生长良率。碳化硅单晶生长需要在高温、高度洁净的环境中进行，任何杂质都可能对晶体生长产生不利的影响，甚至直接导致晶体质量下降或生长失败，因此等静压石墨构件的纯度是非常关键的性能
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