硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法

Test method for substitutional atomic carbon concent of silicon by infrared absorption

GB/T 1558-2009已废止国家标准

标准状态

发布于：2009-10-30

实施于：2010-06-01

已废止

标准号GB/T 1558-2009

标准状态已废止

发布日期2009-10-30

实施日期2010-06-01

中国标准分类号H80 半金属与半导体材料综合

国际标准分类号29.045 半导体材料

主管部门国家标准委

发布部门中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

技术归口国家标准委

代替标准GB/T 1558-1997

起草单位信息产业部专用材料质量监督检验中心、峨嵋半导体材料厂、中国电子科技集团公司第四十六研究所

起草人何秀坤、李静、段曙光、梁洪

本标准规定了硅中代位碳原子含量的红外吸收测量方法。本标准适用于电阻率高于3Ω·cm的p型硅片及电阻率高于1Ω·cm的n型硅片中代位碳原子含量的测定，对于精密度要求不高的硅片，可以测量电阻率大于0.1Ω·cm的硅片中代位碳原子含量。由于碳也可能存在于间隙位置，因而本方法不能测定总碳含量。