硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
标准状态
发布于：2009-10-30
实施于：2010-06-01
废止
基本信息
GB/T 14141-2009
现行
2009-10-30
2010-06-01
国家标准委
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
国家标准委
GB/T 14141-1993
宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心、南京国盛电子有限公司
李慎重、许峰、马林宝、何秀坤、刘培东、谌攀
标准简介
本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径大于15.9 mm的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10Ω～5000 Ω。该方法也可适用于更高或更低阻值方块电阻的测量，但其测量精确度尚未评估。
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