300 mm重掺磷直拉硅单晶抛光片
300 mm heavily phosphorus-doped single crystaline Czochralski silicon polished wafers
标准状态
发布于：2022-12-02
实施于：2022-12-02
废止
基本信息
T/NXCL 017-2022
现行
2022-12-02
2022-12-02
宁夏材料研究学会
宁夏材料研究学会
宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司、北方民族大学、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、厦门大学、宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司、宁夏高创特能源科技有限公司
芮阳、倪浩然、王黎光、杨少林、马成、曹启刚、王飞、闫龙、熊欢、王忠宝、李小红、王飞、张兴茂、刘洁、高洪涛、顾燕滨、盛之林、黄柳青、范占军
标准简介
本文件规定了 300 mm 重掺磷直拉硅单晶抛光片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规格以及标志、包装、运输、贮存、订货单(或合同)内容和质量承诺等方面的内容。 本文件适用于以电子级多晶硅为主要原材料，采用直拉法制备的直径为 300 mm 的重掺磷硅单晶抛光片。产品主要用于集成电路、分立器件用外延片的衬底。
内容预览
